2006年，新总选已行私Intel公开宣布放弃碳纳米管方案。

彭练矛告诉记者，裁人陈春由于了解到采用传统掺杂方式无法制备出超越硅基技术的集成电路，他所在的团队很早就开始探索无掺杂技术。

2007年，定交该团队在碳纳米管CMOS集成电路无掺杂制备方面取得了突破，定交2017年将碳基器件的尺寸缩减到5纳米水平，其器件性能接近理论极限，综合指标超越了硅基器件的十余倍。

到了2020年，银部该团队在规模用高性能碳纳米管集成电路用材料的研究过程中再次取得了重要突破，银部首次达到大规模碳基集成电路用碳纳米管阵列所需的纯度和密度，并采用这种材料首先实现了性能超越硅基集成电路，电路的频率超过了8GHz，比之前世界上最好的、由IBM团队2017年创造的280MHz的频率提升了几十倍。

“15年之后碳芯片技术有望成为主流芯片技术”“在实验室，副总我们和美国的同事们已经证明了碳纳米管晶体管相较最先进的硅基晶体管有十余倍的综合优势。

此外，晖拟基于碳纳米管晶体管技术所能构建的三维芯片框架，能把芯片性能成百上千倍地提高。